12月24日，新加坡国立大学Jingsheng Chen博士应邀于我院三楼报告厅做学术交流报告。此次报告题为“大自旋轨道转矩效率反铁磁体与垂直各向异性单层磁层的电开关”，我院师生共同参与。

磁化的电气操作对于将磁性存储器和磁性逻辑器件等磁性功能集成到电子电路中是必不可少的。在重金属/铁磁（HM/FM）双层膜中，电流引起的自旋轨道转矩（OT）是通过自旋产生的。Jingsheng Chen博士于报告期间介绍了最近在具有大自旋轨道转矩效率的反铁磁体和具有垂直各向异性的单磁层的电子开关方面的研究成果。（1）结合中子衍射和自旋矩铁磁共振实验的结果，其发现外延生长的室温磁结构与广泛认为的大块体不同。它由两种类型的域组成，自旋轴分别指向[111]和[-111]。（2）在铁磁半导体As（Ga，Mn）和反铁磁金属CuMnAs和Mn₂Au中也观察到了单个磁层中的电流诱导SOT开关，它们分别具有全局或局部破坏的反转对称性。

Jingsheng Chen，1999年在中国兰州大学获得博士学位，并于2007年12月加入美国国立大学。2001-2007年期间，他在数据存储研究所担任研究科学家。他撰写/合著了240多篇参考期刊论文、3章书籍，拥有十多项专利，并在国际会议上作了50多篇特邀演讲。其研究兴趣包括基于磁性和氧化物的非易失性存储器、自旋电子学、铁电隧道结、强相关氧化物材料。他从希捷科技（Seagate Technology）和环球铸造（GlobalFoundries）获得了政府约80万美元的1500万美元研究经费和超过100万美元的研究经费。最新一代硬盘（HAMR）中的磁记录介质应用了他的一些发明。